用于碳化硅MOSFET高频应用的新型谐振栅极驱动电路
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资料介绍
用于碳化硅MOSFET高频应用的新型谐振栅极驱动电路(中文5000字,英文PDF)
摘要:碳化硅(SiC)和氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)能够在高开关频率下处理高功率,同时具有较小的开关损耗和导通损耗。栅极驱动器电路功耗与开关频率成正比。从栅极电源获得的功率在传统栅极驱动器(CGD)电路的栅极电阻中消散。不是消耗所有栅极驱动器能量,而是利用谐振原理可以回收或再循环一些能量。这降低了从栅极电源获得的净功率。本文介绍了一种新的谐振栅极驱动器(RGD)电路,与高开关频率的CGD电路相比,它消耗的功率更低。所提出的栅极驱动器专为SiC MOSFET而设计。它可以适当修改,以适应绝缘栅双极晶体管和其他MOSFET。在LTSpice环境中模拟了所提出的电路的性能,并且开发了所提出的电路的实验原型以验证其性能。与CGD电路相比,所提出的RGD电路使栅极驱动器功耗降低了近50%。
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